发明名称 一种基于DC-DC变换电路的误差放大器
摘要 本实用新型公布了一种基于DC-DC变换电路的误差放大器,包括P-MOS管M1、P-MOS管M2、N-MOS管M3、N-MOS管M4、N-MOS管M5、N-MOS管M6、P-MOS管M7、P-MOS管M8、N-MOS管M9、P-MOS管M10、N-MOS管M11以及P-MOS管M12。本实用新型电路结构简单,只需在传统的电路基础上作出相应的改进,即可达到明显的效果,无需额外的器件,也无需使用高成本的输出大电容,就可以明显地减缓输出电压的下降,又不会影响输出的稳定性。
申请公布号 CN204425282U 申请公布日期 2015.06.24
申请号 CN201520073971.9 申请日期 2015.02.02
申请人 无锡松朗微电子有限公司 发明人 吴翔宇;陈芳;苏梦云
分类号 H03F3/45(2006.01)I 主分类号 H03F3/45(2006.01)I
代理机构 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人 黄冠华
主权项 一种基于DC‑DC变换电路的误差放大器,其特征在于,包括P‑MOS管M1、P‑MOS管M2、N‑MOS管M3、N‑MOS管M4、N‑MOS管M5、N‑MOS管M6、P‑MOS管M7、P‑MOS管M8、N‑MOS管M9、P‑MOS管M10、N‑MOS管M11以及P‑MOS管M12;所述P‑MOS管M1的源极和P‑MOS管M2的源极与偏置电流连接,所述P‑MOS管M1的栅极与反馈电压连接,所述P‑MOS管M2的栅极与基准电压连接;所述P‑MOS管M1的漏极分别与N‑MOS管M3的漏极,以及N‑MOS管M5的栅极连接;所述P‑MOS管M2的漏极分别与N‑MOS管M4的漏极,N‑MOS管M6的栅极,以及N‑MOS管M9的栅极连接;所述N‑MOS管M3的栅极与其漏极连接;所述N‑MOS管M4的栅极与其漏极连接;所述N‑MOS管M5的漏极分别与P‑MOS管M7的漏极和栅极连接,所述N‑MOS管M6的漏极与P‑MOS管M8的漏极连接,所述N‑MOS管M9的漏极分别与P‑MOS管M10的漏极,以及连接N‑MOS管M11的栅极连接;所述P‑MOS管M7的源极分别与P‑MOS管M8的源极、P‑MOS管M10的源极、以及P‑MOS管M12的源极连接;;所述P‑MOS管M7的栅极分别与P‑MOS管M8的栅极、P‑MOS管M10的栅极、以及P‑MOS管M12的栅极连接;所述N‑MOS管M11的漏极与P‑MOS管M12的漏极连接;所述N‑MOS管M11的源极与电阻R和电容C之间的连接点J连接;所述电阻R的另一端与电路输出端连接,所述电容C的另一端与电路接地端连接;所述N‑MOS管M3的源极、N‑MOS管M4的源极、N‑MOS管M5的源极、N‑MOS管M6的源极以及N‑MOS管M9的源极与电路接地端连接;其中,所述N‑MOS管M9与N‑MOS管M5的长宽比值大于所述P‑MOS管M10与P‑MOS管M7的长宽比值。
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