| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面具有若干栅极结构，所述栅极结构包括：位于衬底表面的栅介质层、位于栅介质层表面的栅电极层、以及位于栅介质层和栅电极层两侧的侧壁和衬底表面的第一侧墙，所述第一侧墙表面具有第二侧墙；去除所述第二侧墙，暴露出所述第一侧墙；在去除所述第二侧墙之后，在所述第一侧墙表面形成第三侧墙；以第三侧墙和栅极结构为掩膜，在第三侧墙和栅极结构两侧的衬底表面形成导电层；在形成导电层之后，去除第三侧墙，所述去除第三侧墙的工艺不在衬底、导电层和栅极结构表面附着副产物。所形成的半导体器件的性能改善。 | ||
| 申请公布号 | CN104733309A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201310697888.4 | 申请日期 | 2013.12.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘佳磊 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，衬底表面具有若干栅极结构，所述栅极结构包括：位于衬底表面的栅介质层、位于栅介质层表面的栅电极层、以及位于栅介质层和栅电极层两侧的侧壁和衬底表面的第一侧墙，所述第一侧墙表面具有第二侧墙；去除所述第二侧墙，暴露出所述第一侧墙；在去除所述第二侧墙之后，在所述第一侧墙表面形成第三侧墙；以第三侧墙和栅极结构为掩膜，在第三侧墙和栅极结构两侧的衬底表面形成导电层；在形成导电层之后，去除第三侧墙，所述去除第三侧墙的工艺不在衬底、导电层和栅极结构表面附着副产物。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||