阻变存储器中下电极层的形成方法

摘要

本发明公开一种阻变存储器中下电极层的形成方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底之上形成隔离层，在隔离层之上形成金属互连层；在金属互连层之上形成图形化的介质层；沉积电极金属材料并进行化学机械抛光处理，在金属互连层之上并且在介质层之间形成初始电极层；对初始电极层进行刻蚀，以使初始电极层的顶部表面低于介质层的顶部表面；再次沉积电极金属材料并进行化学机械抛光处理，在初始电极层之上并且在介质层之间形成增生电极层，初始电极层与增生电极层连成整体，作为下电极层。本发明消除了金属电极上的小孔，保证金属电极的均一性，优化了金属电极的性能，进而有利于微小尺寸的新型器件的发展。

主权项

一种阻变存储器中下电极层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供衬底，在所述衬底之上形成隔离层，在所述隔离层之上形成金属互连层，其中，所述金属互连层的材料为Al/TiN；S2.在所述金属互连层之上形成图形化的介质层；S3.沉积电极金属材料并进行化学机械抛光处理，在所述金属互连层之上并且在所述介质层之间形成初始电极层；S4.对所述初始电极层进行刻蚀，以使所述初始电极层的顶部表面低于所述介质层的顶部表面；S5.再次沉积电极金属材料并进行化学机械抛光处理，在所述初始电极层之上并且在所述介质层之间形成增生电极层，所述初始电极层与所述增生电极层连成整体，作为所述下电极层，其中，所述下电极层的厚度为100‑500nm。