接触孔的形成方法

摘要

本发明公开了一种接触孔的形成方法，在二氧化硅层与APF层之间增加一层介质层，并通过在形成接触孔深槽之后，利用圆角化工艺使接触孔深槽顶部的介质层顶角圆化，形成圆角，在后续去除介质层之后，圆角转移至二氧化硅层顶部，使得最终形成的接触孔具有圆角顶部。这样，在后续钨填充的工艺过程中，接触孔顶部不会过早封口，提升了钨的填充能力，从而提高器件的性能，降低器件失效的可能。

主权项

一种接触孔的形成方法，其特征在于，其包括以下步骤：提供一待制作接触孔的半导体器件的衬底；在所述衬底上依次形成CESL层、SiO₂层、介质层、APF层、抗反射层和光刻胶；图形化所述光刻胶以在待制作接触孔的位置形成光刻胶凹槽；主刻蚀，刻蚀所述衬底并停留在所述CESL层，形成接触孔深槽；去除残留的光刻胶、抗反射层和APF层；圆角化所述接触孔深槽顶部的介质层顶角，以形成圆角；刻蚀去除接触孔深槽底部的CESL层以及顶部的介质层，圆角转移至所述SiO₂层顶部，形成具有圆角顶部的接触孔。