| 发明名称 |
Verfahren zur aeusseren Formgebung von Halbleiteranordnungen, insbesondere fuer Gleichrichter- und Verstaerkerzwecke mit Halbleitern aus Germanium oder Silizium |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1031893(B) |
申请公布日期 |
1958.06.12 |
| 申请号 |
DE1952S029621 |
申请日期 |
1952.08.01 |
| 申请人 |
STANDARD ELEKTRIK AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
GEIST DR. RER. NAT. DIETRICH |
| 分类号 |
C30B13/06;H01L21/3063;H01L29/00 |
主分类号 |
C30B13/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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