具有边界沟渠结构的功率元件

主权项

一种具有边界沟渠结构的功率元件，包含：一基材，包括一成第一导电性的第一层体，及一形成于该第一层体上且主要载子浓度小于该第一层体的主要载子浓度的第二层体；复数电晶体，每一电晶体的主要结构自该第二层体向该第一层体方向形成，且包括一远离该第一层体的源极区；一边界沟渠结构，包括一自该第二层体表面向该第一层体方向形成且围覆该等电晶体的沟渠，及一形成在该沟渠表面并界定一渠道的绝缘壁体，其中，该沟渠为贯穿该第二层体至该第一层体中，该绝缘壁体具有一形成于该沟渠底面的第一部，及一形成于该沟渠侧周面的第二部，且该第一部的厚度不小于该第二部的厚度；一环卫结构，成相反于该第一导电性的第二导电性，且邻接该沟渠边界结构相反于该等电晶体之侧面地形成于该第二层体；及一导电结构，对应地盖覆每一电晶体的源极区不被该第二层体及该井区遮蔽而裸露的区域、该边界沟渠结构，和该环卫结构，并填覆于该渠道。