结晶半导体膜的制造方法及制造装置

摘要

在通过脉冲激光的照射来对非单晶半导体膜进行结晶化时，本发明为了防止产生照射不均，具有第1阶段和第2阶段，在第1阶段，将低于因脉冲激光的照射而使得所述非单晶半导体膜产生微结晶化的照射脉冲能量密度、且适于基于多次即N次的照射的结晶化的照射脉冲能量密度设为E0，从而以与照射脉冲能量密度E0相同的照射脉冲能量密度E1来照射所述脉冲激光，在第2阶段，以低于照射脉冲能量密度E1、且在为了使结晶再次熔融而所需的照射能量密度以上的照射脉冲能量密度E2来照射所述脉冲激光，对于同一照射面所进行的第1阶段和第2阶段的总计照射次数设为N次以上。

主权项

一种结晶半导体膜的制造方法，通过在非单晶半导体膜上沿短轴方向相对地扫描并重叠照射脉冲激光，来进行结晶化，所述结晶半导体膜的制造方法的特征在于，将照射脉冲能量密度设为E0，该照射脉冲能量密度低于利用所述脉冲激光的照射从而使所述非单晶半导体膜产生微结晶化的照射脉冲能量密度，且适于基于多次即N次照射的结晶化，所述结晶半导体膜的制造方法包括：以与所述照射脉冲能量密度E0相同的照射脉冲能量密度E1来照射所述脉冲激光的第1阶段；以及以照射脉冲能量E2来照射所述脉冲激光的第2阶段，所述照射脉冲能量E2低于所述照射脉冲能量密度E1，且在为了使结晶再次熔融而所需的照射能量密度以上，对于同一照射面，所述第1阶段和所述第2阶段中的总计照射次数在N次以上。