发明名称 控制中高压电子铝箔蚀孔分布的方法
摘要 一种控制中高压电子铝箔蚀孔分布的方法,是在铝箔表面制备一层掺入ZnO微球的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜,从而引导铝箔表面均匀发孔。具体步骤包括:1)将铝箔放入碱液中进行浸泡处理;2)制备由Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>溶胶与ZnO微球构成的混合液;3)利用浸渍提拉法将已碱洗的铝箔浸入Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>溶胶与ZnO微球构成的混合液,于400~500℃进行热处理30~300s,在铝箔表面形成带有薄膜的铝箔;4)对形成有上述薄膜的铝箔进行隧道孔腐蚀。本发明可以提高铝箔发孔的均匀性,降低并孔发生的几率,从而提高铝箔的静电比容。
申请公布号 CN103198925B 申请公布日期 2015.06.17
申请号 CN201310153492.3 申请日期 2013.04.28
申请人 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 发明人 梁立勃;何业东;宋洪洲;杨小飞;蔡小宇
分类号 H01G9/055(2006.01)I;C25F3/04(2006.01)I 主分类号 H01G9/055(2006.01)I
代理机构 广西南宁公平专利事务所有限责任公司 45104 代理人 黄永校
主权项 一种控制中高压电子铝箔蚀孔分布的方法,其特征在于,包括如下步骤:第一步骤,将铝箔放入浓度为0.1~1mol/L,温度为30~50℃的NaOH溶液中浸泡10~60s;第二步骤,将Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>溶胶与ZnO微球按体积比为100~10︰1混合,获得由Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>溶胶与ZnO微球构成的混合液;第三步骤,利用浸渍提拉法将已碱洗的铝箔浸入Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>溶胶与ZnO微球构成的混合液,于400~500℃进行热处理30~300s,在铝箔表面形成带有ZnO微球的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜;第四步骤,对带有ZnO微球的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的铝箔进行隧道孔腐蚀。
地址 542899 广西壮族自治区贺州市江北东路39号