| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置，以解决为了控制更大的电流而加厚了接合部件的厚度时，会恶化其散热性等的问题。本发明的半导体装置，其中包括：作为半导体元件的功率半导体元件(1)；接合功率半导体元件(1)的上表面及下表面的接合部(4)；以及隔着接合部(4)而对半导体元件(1)上下接合的金属板(3、5)，接合部(4)具备配置在功率半导体元件(1)与金属板(3、5)之间的网状金属体(8)，和埋设网状金属体(8)的接合部件(2)。 | ||
| 申请公布号 | CN102194784B | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201010586664.2 | 申请日期 | 2010.11.30 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 高山刚;安田幸央;加藤肇;日山一明;佐佐木太志;石原三纪夫 |
| 分类号 | H01L23/492(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/492(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其中包括：半导体元件；接合所述半导体元件的上表面及下表面的接合部；以及隔着所述接合部而对所述半导体元件上下接合的金属板，所述接合部具备：在所述半导体元件与所述金属板之间配置的网状金属体，和埋设所述网状金属体的接合部件，所述半导体元件具备多个，所述接合部接合各所述半导体元件的上表面及下表面，所述金属板隔着所述接合部而共同对所述多个半导体元件从所述上下接合，所述接合部还具备埋设于所述接合部件且一端与所述网状金属体接合的柱状金属。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||