Method for manufacturing a photodetector

摘要

La fabrication d'un photo-détecteur est réalisée sur un substrat comportant une première portion (A) munie successivement d'un premier film semi-conducteur (2), une couche électriquement isolante (3), un deuxième film semi-conducteur (4), une couche de protection (5). Le substrat comporte également une deuxième portion (B) munie dépourvue du deuxième film semi-conducteur (4). Il comporte encore une troisième portion (C) dépourvue du deuxième film semi-conducteur (4) et de la couche de protection (5). Le deuxième film semi-conducteur (4) est gravé dans la première portion (A) pour former une cavité. Une diode (8) de type PIN/NIP est formée dans la troisième portion (C) au moins au moyen du dépôt d'un troisième matériau semi-conducteur (9) qui vient également remplir la cavité. Une couche de conversion est déposée pour absorber un signal lumineux provenant du deuxième film semi-conducteur et convertir le signal lumineux en signal électrique, la couche de conversion connectant électriquement la diode (8) PIN/NIP.