一种背钝化高效PERL电池工艺

摘要

本发明涉及一种背钝化高效PERL电池工艺，包括将硅片在HF／HNO₃混合溶液中清洗，去除表面损伤层，然后进行双面抛光、单面沉积SiOx膜层、制绒、高温炉中POCl₃单面沉积扩散、去除表面磷硅玻璃、硅片正面沉积厚度80nm的SiNx、硅片抛光面的背面沉积10-20nm的SiOx，然后在管式或板式PECVD设备中沉积100-200nm的SiNx层、在背钝化层开槽开孔、丝网印刷烧结背铝浆、背电极及正电极的步骤。与现有技术相比，本发明能够简化工艺从而方便大规模量产。

主权项

一种背钝化高效PERL电池工艺，其特征在于，该工艺采用以下步骤：(1)将硅片在HF／HNO₃混合溶液中清洗，去除表面损伤层、切割线痕；(2)清洗后的硅片在NaOH溶液中进行双面抛光；(3)将抛光后的硅片单面沉积SiOx膜层，(4)将上述硅片在四甲基氢氧化铵中单面制备1‑2um高的金字塔绒面；(5)将上述硅片在高温炉中POCl₃单面沉积扩散；(6)采用湿法刻蚀去除硅片表面的磷硅玻璃；(7)在管式或板式PECVD设备中将硅片正面沉积厚度80nm的SiNx，(8)采用PECVD或APCVD设备在硅片抛光面的背面沉积10‑20nm的SiOx，然后在管式或板式PECVD设备中沉积100‑200nm的SiNx层；(9)在硅片背面形成的背钝化层上开槽开孔；(10)丝网印刷烧结背铝浆、背电极及正电极即可。