发明名称 |
用来抛光相变合金的化学机械抛光组合物和方法 |
摘要 |
一种使用化学机械抛光组合物对包含锗-锑-碲硫属化物相变合金(GST)的基片进行化学机械抛光的方法,所述化学机械抛光组合物包含作为初始组分的以下物质:水;磨料;邻苯二甲酸、邻苯二甲酸酐、邻苯二甲酸盐/酯化合物和邻苯二甲酸衍生物中的至少一种;螯合剂;聚(丙烯酸-共-马来酸);以及氧化剂;所述化学机械抛光组合物促进高GST去除速率,同时获得低缺陷度。 |
申请公布号 |
CN102756325B |
申请公布日期 |
2015.06.17 |
申请号 |
CN201210139124.9 |
申请日期 |
2012.04.26 |
申请人 |
罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
发明人 |
李在锡;郭毅;K-A·K·雷迪;张广云 |
分类号 |
B24B37/00(2012.01)I;C09G1/02(2006.01)I |
主分类号 |
B24B37/00(2012.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
江磊 |
主权项 |
一种用来对基片进行化学机械抛光的方法,该方法包括:提供基片,所述基片包含锗‑锑‑碲相变合金;提供化学机械抛光组合物,所述化学机械抛光组合物包含以下作为初始组分的物质:水;0.1‑5重量%的磨料;0.001‑5重量%的邻苯二甲酸、邻苯二甲酸酐以及邻苯二甲酸盐/酯化合物中的至少一种;0.001‑5重量%的螯合剂;0.001‑0.1重量%的丙烯酸‑马来酸共聚物;0.001‑3重量%的氧化剂;其中,所述化学机械抛光组合物的pH值为7.1‑12;提供化学机械抛光垫;在化学机械抛光垫和基片的界面处形成动态接触;在所述化学机械抛光垫和基片之间的界面处或界面附近,将所述化学机械抛光组合物分配到所述化学机械抛光垫上;将至少一部分所述锗‑锑‑碲相变合金从所述基片除去。 |
地址 |
美国特拉华州 |