层数可调的多层囊泡状介孔二氧化硅及其合成方法

摘要

本发明涉及层数可调的多层囊泡状介孔二氧化硅及其合成方法，将CTAB加入25-30℃蒸馏水中搅拌溶解，然后加入DDAB搅拌至全部溶解；将少量氨水滴加到搅拌中的上述溶液中，搅拌均匀，然后在搅拌下滴加正硅酸四乙酯TEOS，得到悬浮液；将得到的悬浮液继续搅拌反应20-24h，得到白色沉淀，将白色沉淀置于恒温箱100-120℃中静置20-24h；白色沉淀进行抽滤，洗涤，干燥，研磨后，500-600℃条件下煅烧5-6h得到囊泡状介孔二氧化硅。本发明制得的多层囊泡状介孔二氧化硅粒度均匀(60-120nm)，且分散性较好，仅通过改变DDAB的加量即可实现囊泡状介孔二氧化硅层数的调控7-2层。

主权项

层数可调的多层囊泡状介孔二氧化硅的合成方法，其特征是，包括步骤如下：(1)将十六烷基三甲基溴化铵CTAB加入25‑30℃蒸馏水中搅拌溶解，然后加入双十二烷基二甲基溴化铵DDAB搅拌至全部溶解；十六烷基三甲基溴化铵CTAB、双十二烷基二甲基溴化铵DDAB的浓度分别为0.005‑0.015mol/L，0.005‑0.015mol/L；(2)将少量氨水滴加到搅拌中的上述溶液中，搅拌均匀，然后在搅拌下滴加正硅酸四乙酯TEOS，得到悬浮液；氨水、正硅酸四乙酯TEOS的加入量与其他原料的质量比为NH₃·H₂O:CTAB:DDAB:TEOS:H₂O＝1:(0.2‑0.25):(0.08‑0.4):(2.3‑3.5):(52.5‑56.5)；(3)将得到的悬浮液继续搅拌反应20‑24h，得到白色沉淀，将白色沉淀置于恒温箱100‑120℃中静置20‑24h；(4)白色沉淀进行抽滤，洗涤，干燥，研磨后，500‑600℃条件下煅烧5‑6h得到囊泡状介孔二氧化硅，其层数7‑2内可调，粒径为60‑120nm，层厚与层间距分别为2‑6nm和2‑3nm。