发明名称 基于环形腔衰落的环形芯光纤传感器
摘要 本发明提供的是一种基于环形腔衰落的环形芯光纤传感器。一段具有大直径环形芯光纤的两端分别与两个具有高分光比的1×2光纤耦合器分光比高的一端相连,两个1×2光纤耦合器具有1个端口的一侧彼此互联,进而形成环形腔,脉冲光源和探测器分别与两个1×2光纤耦合器的分光比低的一端相连。环形芯光纤传感部分纤芯距离外界很近,有强的倏逝场,可以通过测量衰荡时间来测得外界液体或气体折射率等环境的变化。该传感器能将光源波动起伏带来的不利影响降低到最小,测量装置结构简单,轻便,灵敏度高,抗干扰能力强,在溶液或气体浓度,温度等传感方面都将有广泛的应用。
申请公布号 CN103364370B 申请公布日期 2015.06.17
申请号 CN201310277333.4 申请日期 2013.07.03
申请人 哈尔滨工程大学 发明人 关春颖;钟幸;李树强;刘志海;苑立波
分类号 G01N21/41(2006.01)I 主分类号 G01N21/41(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种基于环形腔衰落的环形芯光纤传感器,其特征是:一段具有大直径环形芯光纤的两端分别与两个具有高分光比的1×2光纤耦合器分光比高的一端相连,两个1×2光纤耦合器具有1个端口的一侧彼此互联,进而形成环形腔,脉冲光源和探测器分别与两个1×2光纤耦合器的分光比低的一端相连;所述的具有大直径环形芯的光纤是光纤直径为125微米,光纤纤芯形状为环形,纤芯壁厚为4‑8微米,环形芯的外径为80‑123微米的光纤,其纤芯折射率n<sub>core</sub>大于包层折射率n<sub>clad</sub>;通过化学刻蚀的方法来减薄光纤的包层,使纤芯裸露于外界。
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