一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺

摘要

本发明公开一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其中，包括有多晶硅，在所述多晶硅的顶部局部开槽，该开槽工艺采用新的光罩，采用单次图形化和刻蚀成形，以形成栅极，当镍与所述多晶硅发生反应形成硅化物时，最终成形为形貌平直的栅极镍硅化物。使用本发明一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，通过在多晶硅上成型顶部局部开槽的栅极方法，从而最终形成形貌平直的栅极镍硅化物。

主权项

一种制备有助于消除U型镍硅化物的器件结构的工艺，其特征在于，包括有多晶硅，依次沉积氧化硅和氮化硅薄膜作为基底，在所述多晶硅的顶部局部开槽，该开槽工艺采用多晶硅栅极逆光罩，配合薄膜沉积，采用自对准干法刻蚀形成栅极顶部开槽，单次图形化和两次干法刻蚀，以形成栅极，当镍与所述多晶硅发生反应形成硅化物时，最终形成为形貌平直的栅极镍硅化物；其中，具体包括以下步骤：第一步，在所述多晶硅和氧化硅、氮化硅基底上采用逆光罩进行图形化工艺将所述氮化硅薄膜打开；第二步，于所述氮化硅薄膜上进行薄层氮化硅的沉积；第三步，进行干法刻蚀；第四步，进行高温氧化生成氧化层；第五步，进行多晶硅栅极刻蚀，并去除所述氧化层。