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<p>반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법에서, 상기 반도체 메모리 소자는 기판 상부면 전체를 덮는 매립 절연막이 구비된다. 상기 매립 절연막 상에, 2개의 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부들 사이에는 요부가 생성되고, 데이터가 저장되기 위한 플로팅 바디로 제공되는 액티브 패턴이 구비된다. 상기 액티브 패턴의 돌출부 상부면에 불순물이 도핑된 제1 및 제2 불순물 영역이 구비된다. 상기 액티브 패턴의 외측벽 표면에 게이트 절연막이 구비된다. 상기 게이트 절연막 상에는 상기 액티브 패턴의 외측벽을 둘러싸면서 상기 요부 내부를 부분적으로 채우는 형상을 갖고, 상기 액티브 패턴의 제1 및 제2 불순물 영역의 저면보다 낮은 상부면을 갖는 게이트 전극을 포함한다. 상기 반도체 메모리 소자는 게이트 전극의 조절 능력이 우수하고, 데이터 보유 특성이 양호하다.</p> |
