半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明之记忆胞(101)包含：记忆电晶体(10A)，其具有通道长度L1及通道宽度W1；及复数个选择电晶体(10B)，其等分别与记忆电晶体电性串联连接，且独立地具有通道长度L2及通道宽度W2；记忆电晶体及复数个选择电晶体之各者具有由共用之氧化物半导体膜形成之活性层(7A)，记忆电晶体系可自汲极电流Ids依存于闸极电压Vg之半导体状态，不可逆地变化为汲极电流Ids不依存于闸极电压Vg之电阻器状态的电晶体，且通道长度L2大于通道长度L1。