VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERVORRICHTUNG MIT PROTONENBESTRAHLUNG UND HALBLEITERVORRICHTUNG MIT LADUNGSKOMPENSATIONSSTRUKTUR

摘要

Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Bilden einer Ladungskompensationsvorrichtungsstruktur in einem Halbleitersubstrat (105). Das Verfahren umfasst weiterhin ein Messen eines Wertes einer elektrischen Eigenschaft (αi), die auf die Ladungskompensationsvorrichtung bezogen ist. Wenigstens ein Parameter aus Protonenbestrahlungsund Ausheilparametern wird aufgrund des gemessenen Wertes eingestellt. Aufgrund des wenigstens einen Parameters der eingestellten Protonenbestrahlungs- und Ausheilparameter wird das Halbleitersubstrat (105) mit Protonen bestrahlt, und danach wird das Halbleitersubstrat (105) ausgeheilt.