发明名称 基于硅基G-T腔的光纤温度传感系统
摘要 一种基于硅基G-T腔的光纤温度传感系统,包括依次连接的光源、硅基G-T腔光纤温度传感器和光谱分析单元,所述硅基G-T腔光纤温度传感器包括具有空腔的固定套管、双光纤头、硅传感芯片和填充物,所述硅传感芯片粘接于所述空腔内壁之间,所述双光纤头粘接于所述空腔的一端与所述硅传感芯片的一侧相对,所述硅传感芯片的另一侧相对的所述空腔以所述填充物填充。系统采用硅传感芯片,传感器各部件间采用胶进行粘接,传感器内部整体呈固体填充状态,在保持结构简单、成本低、抗电磁干扰等优点的同时,具备受外界压力干扰小、测量精度高、长期可靠性高。
申请公布号 CN104697663A 申请公布日期 2015.06.10
申请号 CN201310649066.9 申请日期 2013.12.04
申请人 深圳先进技术研究院 发明人 董玉明;焦国华;鲁远甫;吕建成;罗阿郁
分类号 G01K11/32(2006.01)I 主分类号 G01K11/32(2006.01)I
代理机构 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人 张全文
主权项 一种基于硅基G‑T腔的光纤温度传感系统,其特征在于,包括依次连接的光源、硅基G‑T腔光纤温度传感器和光谱分析单元,所述硅基G‑T腔光纤温度传感器包括具有空腔的固定套管、双光纤头、硅传感芯片和填充物,所述硅传感芯片粘接于所述空腔内壁之间,所述双光纤头粘接于所述空腔的一端与所述硅传感芯片的一侧相对,所述硅传感芯片的另一侧相对的空腔以所述填充物填充。
地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
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