硅基激光器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种硅基激光器及其制备方法，涉及半导体技术领域，能够输出足够大功率的光，常温下也能够提供足够强度的光，且工艺简单、应用广泛。包括硅基板层，所述硅基板层之上依次设有发光层及透明导电氧化物层，所述发光层包括量子点层，其中，所述量子点层在外界光照射条件下产生光波；在所述外界光照射条件下，在所述透明导电氧化物层与空气界面上产生表面等离子体共振；在所述外界光照射条件下，在所述透明导电氧化物层与所述发光层界面上产生等离子体共振。本发明适用于通信波段的硅基集成光源。

主权项

一种硅基激光器，其特征在于，包括硅基板层，所述硅基板层之上依次设有发光层及透明导电氧化物层，所述发光层包括量子点层，其中，所述量子点层在外界光照射条件下产生光波；在所述外界光照射条件下，在所述透明导电氧化物层与空气界面上产生表面等离子体共振；在所述外界光照射条件下，在所述透明导电氧化物层与所述发光层界面上产生等离子体共振。