| 发明名称 | 半导体结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体结构及其制作方法。其中所述半导体结构包括：半导体衬底以及位于半导体衬底上的鳍片，其中仅在所述鳍片顶部及半导体衬底表面形成有氮氧化层。本发明的实施例中，鳍片两侧可以直接形成栅介质层，提高了晶体管的电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102456734B | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201010527273.3 | 申请日期 | 2010.10.29 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王鹤飞;骆志炯;刘佳 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的鳍片，其特征在于，仅在所述鳍片顶部及半导体衬底表面形成有氮氧化层，在所述鳍片的侧壁没有氧化层或氮氧化层；所述氮氧化层用于器件和半导体衬底的隔离，同时能够将所述鳍片两侧的氧化层去除干净，提高晶体管的电性能。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||