发明名称 SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法及系统
摘要 本发明涉及SRAM芯片检测技术领域,尤其涉及一种SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法及系统。本发明分别通过SRAM芯片的各引脚对该SRAM芯片进行数据读写;如果各引脚读写都正确,则判定该SRAM芯片各引脚焊接良好,如果某一引脚读写错误,则判定该引脚焊接不良。与现有技术相比,本发明所采用的技术方案通过SRAM芯片的各引脚对该SRAM芯片进行数据读写,并通过检测各引脚的数据读写是否正常来判断该SRAM芯片各引脚的焊接是否良好,可快速判断SRAM芯片各引脚的焊接是否正常,从而在芯片投入使用之前排除引脚焊接问题,这比在芯片使用中检测出问题有更高的效益。
申请公布号 CN104701204A 申请公布日期 2015.06.10
申请号 CN201410848838.6 申请日期 2014.12.31
申请人 南昌市科陆智能电网科技有限公司 发明人 何洪彬
分类号 H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 代理人 王利彬
主权项 一种SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法,其特征在于,包括如下步骤:分别通过SRAM芯片的各引脚对该SRAM芯片进行数据读写;如果各引脚读写都正确,则判定该SRAM芯片各引脚焊接良好,如果某一引脚读写错误,则判定该引脚焊接不良。
地址 330000 江西省南昌市高新技术产业开发区创新二路以东,艾溪湖四路以南,创新三路以西