发明名称 |
SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法及系统 |
摘要 |
本发明涉及SRAM芯片检测技术领域,尤其涉及一种SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法及系统。本发明分别通过SRAM芯片的各引脚对该SRAM芯片进行数据读写;如果各引脚读写都正确,则判定该SRAM芯片各引脚焊接良好,如果某一引脚读写错误,则判定该引脚焊接不良。与现有技术相比,本发明所采用的技术方案通过SRAM芯片的各引脚对该SRAM芯片进行数据读写,并通过检测各引脚的数据读写是否正常来判断该SRAM芯片各引脚的焊接是否良好,可快速判断SRAM芯片各引脚的焊接是否正常,从而在芯片投入使用之前排除引脚焊接问题,这比在芯片使用中检测出问题有更高的效益。 |
申请公布号 |
CN104701204A |
申请公布日期 |
2015.06.10 |
申请号 |
CN201410848838.6 |
申请日期 |
2014.12.31 |
申请人 |
南昌市科陆智能电网科技有限公司 |
发明人 |
何洪彬 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 |
代理人 |
王利彬 |
主权项 |
一种SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法,其特征在于,包括如下步骤:分别通过SRAM芯片的各引脚对该SRAM芯片进行数据读写;如果各引脚读写都正确,则判定该SRAM芯片各引脚焊接良好,如果某一引脚读写错误,则判定该引脚焊接不良。 |
地址 |
330000 江西省南昌市高新技术产业开发区创新二路以东,艾溪湖四路以南,创新三路以西 |