| 发明名称 | 薄膜晶体管和阵列基板及其制作方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管和阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够改善薄膜晶体管的阈值电压漂移现象，提高阵列基板的稳定性和可靠性。该薄膜晶体管包括有源层和栅极绝缘层，所述有源层的材质为金属氧化物半导体，在所述薄膜晶体管形成过程中，所述栅极绝缘层向所述有源层输氧，以降低所述有源层和所述栅极绝缘层之间的接触界面的界面态密度和可动杂质浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN104701383A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201510129225.1 | 申请日期 | 2015.03.24 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘晓娣;王刚 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括有源层和栅极绝缘层，所述有源层的材质为金属氧化物半导体，其特征在于，在所述薄膜晶体管形成过程中，所述栅极绝缘层向所述有源层输氧，以降低所述有源层和所述栅极绝缘层之间的接触界面的界面态密度和可动杂质浓度。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||