晶体管的形成方法

摘要

本发明提供一种晶体管的形成方法，包括：在所述衬底上形成包含自下而上的第一伪栅层、牺牲层及第二伪栅层；在所述伪栅侧壁形成侧墙，伪栅和侧墙构成伪栅结构；在所述衬底中形成源区、漏区；形成露出伪栅结构表面的层间介质层；以所述牺牲层作为刻蚀停止层，干法刻蚀去除所述伪栅结构中的第二伪栅层；去除所述牺牲层；湿法刻蚀去除第一伪栅层，形成开口；在所述开口中形成金属栅极结构。本发明形成方法去除伪栅时对衬底的影响较小，使得形成的晶体管性能更佳。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一伪栅材料层；在所述第一伪栅材料层表面形成牺牲材料层；在所述牺牲材料层表面形成第二伪栅材料层；对所述第一伪栅材料层、牺牲材料层和第二伪栅材料层进行光刻，形成伪栅，所述伪栅包含第一伪栅材料层形成的第一伪栅层、牺牲材料层形成的牺牲层以及第二伪栅材料层形成的第二伪栅层；在所述伪栅侧壁形成侧墙，所述伪栅和所述侧墙构成伪栅结构；在所述伪栅结构露出的衬底中形成源区、漏区；在所述衬底上形成露出伪栅结构表面的层间介质层；以所述牺牲层作为刻蚀停止层，干法刻蚀去除所述伪栅结构中的第二伪栅层；去除所述牺牲层；湿法刻蚀去除第一伪栅层，在伪栅原位置处形成开口；在所述开口中形成金属栅极结构。