| 摘要 |
Le procédé comprend des étapes de dépôt d'une couche de protection (3) sur un support (1), d'enlèvement de matière consistant à réaliser une ouverture (4 ; 4A, 4B, 4C) à travers la couche de protection (3), d'enlèvement de matière consistant à former une cavité (5 ; 5A, 5B, 5C) dans ledit support (1), la cavité (5 ; 5A, 5B, 5C) étant positionnée au droit d'au moins une partie de l'ouverture (4 ; 4A, 4B, 4C) à travers la couche de protection (3), de dépôt de matière (6 ; 14) à travers ladite ouverture (4 ; 4A, 4B, 4C), et d'élimination de la couche de protection (3). Les étapes d'enlèvement de matière consistant à réaliser respectivement l'ouverture (4 ; 4A, 4B, 4C) à travers la couche de protection (3) et la cavité (5 ; 5A, 5B, 5C) sont réalisées simultanément ou directement l'une après l'autre à l'aide d'impulsions femtosecondes. |
