发明名称 一种硅粉法直接制备高纯度大粒径硅溶胶的方法
摘要 本发明是为了解决目前化学机械抛光专用大粒径硅溶胶磨料生产稳定性差、粒径小、粒径分布范围宽等问题,发明了一种在一定高压下,硅粉直接制备大粒径硅溶胶的方法。通过控制反应温度、反应压力,实现了硅溶胶粒径大小的精确控制。该发明方法工艺简化,原料硅粉转化率高,硅溶胶粒径分散度低,所制备的大粒径硅溶胶可以应用于化学机械抛光磨料。
申请公布号 CN104671248A 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201310622550.2 申请日期 2013.11.30
申请人 天津晶美微纳科技有限公司 发明人 何彦刚;苗静;洪伟
分类号 C01B33/141(2006.01)I;C09K3/14(2006.01)I 主分类号 C01B33/141(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 本发明提供了一种硅粉法直接制备高纯度大粒径硅溶胶的方法,采用如下技术方案:该方法包括以下步骤:将金属硅粉、有机胺催化剂和去离子水按照一定配比加入到高压反应釜中混合均匀;密封反应釜,开启搅拌与加热,快速升温到一定温度A,反应25‑35min;继续升温至温度B,并控制反应压力C,反应一定时间后结束;<b> </b>逐渐降温,制得高纯度大粒径硅溶胶;根据权利要求1所述的方法,其特征在于:金属硅粉纯度在99%以上;根据权利要求1所述的方法,其特征在于:有机胺催化剂为乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、羟乙基乙二胺中的任意一种或它们的组合物;根据权利要求1所述的方法,其特征在于:去离子水为电阻率为18.2 MΩ.cm的超纯水;根据权利要求1所述的方法,其特征在于:金属硅粉和有机胺的质量比为(50‑200):1;根据权利要求1所述的方法,其特征在于:A温度为60‑95℃,优选80‑90℃;根据权利要求1所述的方法,其特征在于:B温度为105‑200℃,优选140‑170℃;根据权利要求1所述的方法,其特征在于:C压力为0.1‑5MPa。
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