| 发明名称 | 一种掺杂的肖特基势垒器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种掺杂的肖特基势垒器件；该肖特基势垒器件的势垒层是采用了掺杂磷的金属硅化物(P-MSi)作为肖特基势垒层，而传统的肖特基势垒器件的势垒层是无掺杂的金属硅化物(M-Si)作为肖特基势垒层，掺杂磷的金属硅化物势垒层（P-MSi）较传统的无掺杂的金属硅化物(M-Si)势垒层，具有低的势垒高度，因此采用掺杂磷的金属硅化物(P-MSi)作为肖特基势垒层的肖特基器件较传统的肖特基势垒器件，同等面积下，具有低的正向饱和压降(VF)的优势。 | ||
| 申请公布号 | CN204375759U | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201420442005.5 | 申请日期 | 2014.08.07 |
| 申请人 | 上海芯石微电子有限公司 | 发明人 | 洪旭峰 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种掺杂的肖特基势垒器件，其特征在于：包括外延层（N‑）、衬底层（N+），在外延层（N‑）上形成肖特基势垒层（P‑MSi），肖特基势垒层采用掺杂磷的金属硅化物作为势垒层，肖特基势垒层上蒸镀金属形成阳极（top metal），衬底层（N+）背面减薄后蒸镀金属形成阴极(back metal)，势垒区边缘采用掺硼形成保护环（P+）。 | ||
| 地址 | 201605 上海市松江区新浜镇香长公路1960号102室 | ||