一种基于炭化的超级电容器三维微电极的制备方法

摘要

本发明涉及微机电系统技术领域，具体为一种基于炭化的超级电容器三维微电极的制备方法，包括以下步骤：（1）硅片清洗烘干；（2）然后在硅片表面均匀旋涂SU-8光刻胶；（3）将光刻胶进行光刻工艺处理，得到阵列结构；（4）将光刻好的阵列结构放入马弗炉中进行炭化，得到SU-8胶炭化电极。该方法首先从工艺设计的角度出发，利用增加介孔数量和质量增大电极阵列结构的比表面积，该方法简单可行、易操作。其次，利用炭化技术，不仅可以增强电极的稳定性，而且可以提高导电性能，为后续的集成、封装和利用奠定了的基础。最后，该工艺精度高、设备投资成本低、产能大，能够满足市场大规模生产需求。

主权项

一种基于炭化的超级电容器三维微电极的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）选取硅片作为基底，将硅片基底清洗并烘干；（2）在清洗烘干后的硅片表面均匀旋涂SU‑8光刻胶；（3）将SU‑8光刻胶进行光刻工艺处理，得到柱状阵列结构；（4）将得到的阵列结构放入马弗炉中进行炭化，炭化过程中温度、加热速率和冷却速率设置如下：首先，用时240min将温度从室温升高到450℃，升温速率为1.8℃/min，稳定60min；再用时150min将温度上升到700℃，升温速率为1.67℃/minute，稳定90min；之后再需要120min升温至900℃，升温速率为1.67℃/minute，继续稳定60min；最终用时60min升温至1000℃，升温速率为1.67℃/minute，持续稳定60min，逐步完成阵列结构的完全炭化；自然冷却600min降至室温，冷却速率为2.7⁰C/minute，制备得到炭化电极。