半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：待刻蚀层表面具有第一掩膜层，第一掩膜层包括第一条形层以及若干平行排列于第一条形层一侧的第二条形层，第二条形层相对于第一条形层垂直，若干第二条形层的第一端分别与第一条形层连接，相邻第二条形层之间构成沟槽；至少在第一掩膜层的侧壁表面形成牺牲层；在待刻蚀层表面和牺牲层的侧壁表面形成第二掩膜层，第二掩膜层包括第三条形层以及若干平行排列于第三条形层一侧的第四条形层，第三条形层位于第二条形层的第二端且相对于第一条形层平行，第四条形层分别填充满若干沟槽，第四条形层的一端分别与第三条形层连接；在形成第二掩膜层之后，去除牺牲层。所形成的半导体结构的图形更复杂、尺寸缩小且精确。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面具有第一掩膜层，所述第一掩膜层包括：第一条形层、以及若干平行排列于第一条形层一侧的第二条形层，若干第二条形层相对于第一条形层垂直，若干第二条形层的第一端分别与第一条形层连接，且相邻第二条形层之间构成沟槽；至少在所述第一掩膜层的侧壁表面形成牺牲层；在待刻蚀层表面和牺牲层的侧壁表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括：第三条形层、以及若干平行排列于第三条形层一侧的第四条形层，所述第三条形层位于第二条形层的第二端且相对于第一条形层平行，所述第四条形层分别填充满若干沟槽，且若干第四条形层的一端分别与第三条形层连接；在形成第二掩膜层之后，去除所述牺牲层。