发明名称 | 单芯片低噪声放大器 | ||
摘要 | 本发明涉及集成电路设计、制造技术领域,特别涉及一种广泛用于W波段毫米波各类雷达组件及通信系统的单芯片低噪声放大器。一种单芯片低噪声放大器,其在单芯片上集成有输入匹配电路,输入匹配电路的输入端连接外部信号输入源,其输出端顺次串接四级晶体管放大器、输出匹配电路后向外输出,所述四级晶体管放大器包括依次级联的第一级、第二级、第三级、第四级晶体管放大器。本发明的单芯片低噪声放大器可广泛用于W波段各类雷达组件及毫米波通信系统等领域,其工作频段宽,且全频段性能稳定,各级放大电路能同时达到最佳噪声和输入驻波的良好匹配。 | ||
申请公布号 | CN103199802B | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
申请号 | CN201310116048.4 | 申请日期 | 2013.04.03 |
申请人 | 成都雷电微力科技有限公司 | 发明人 | 管玉静;袁野;付汀 |
分类号 | H03F1/42(2006.01)I | 主分类号 | H03F1/42(2006.01)I |
代理机构 | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人 | 王芸;熊晓果 |
主权项 | 单芯片低噪声放大器,其在单芯片上集成有输入匹配电路,输入匹配电路的输入端连接外部信号输入源,其输出端顺次串接四级晶体管放大器、输出匹配电路后向外输出,其特征在于:所述四级晶体管放大器包括第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器、第四级晶体管放大器,各级晶体管放大器通过中间级匹配电路依次级联,各级晶体管放大器分别包括三极管、三级滤波电路,所述三极管的集电极和基极通过三级滤波电路与供电端连接,所述第一级晶体管放大器发射极到地串联有电感,其余各级晶体管放大器中的发射极直接接地。 | ||
地址 | 610041 四川省成都市高新区石羊工业园 |