| 摘要 |
<p>본 기술은 수직채널형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술은 수직채널형 비휘발성 메모리 소자 제조 방법에 있어서, 기판상에 복수의 층간절연막 및 게이트 전극용 도전막을 교대로 형성하는 단계; 상기 복수의 층간절연막 및 게이트 전극용 도전막을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계; 및 상기 트렌치의 내벽에 노출된 복수의 게이트 전극용 도전막을 실리사이드화하는 단계를 포함한다. 본 기술에 따르면, 소스 선택 라인, 워드라인 및 드레인 선택 라인의 저항을 감소시켜 메모리 소자의 구동 속도를 향상시킬 수 있다. 또한, 소스 영역의 저항값을 감소시키고, 메모리 소자의 집적도를 더욱 향상시킬 수 있다.</p> |
