| 发明名称 | 晶体管结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶体管结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构以及所述栅极结构露出的衬底上形成层间介质层；进行第一平坦化工艺，去除部分所述层间介质层直至暴露出所述栅极结构；在暴露出的栅极结构上形成掩模；对所述掩模露出的层间介质层进行离子掺杂，以在所述层间介质层的表面形成掺杂层。本发明的技术方案具有以下优点：通过形成所述掩模层将所述栅极结构覆盖，同时对所述层间介质层进行离子掺杂，以在所述层间介质层的表面形成一层掺杂层，所述掺杂层的硬度以及耐刻蚀性较好，在后续步骤的工艺过程中能够尽量避免被擦伤的进一步扩大。 | ||
| 申请公布号 | CN104681428A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201310612565.0 | 申请日期 | 2013.11.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 蒋莉 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/3115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构以及所述栅极结构露出的衬底上形成层间介质层；进行第一平坦化工艺，去除部分所述层间介质层直至暴露出所述栅极结构；在暴露出的栅极结构上形成掩模；对所述掩模露出的层间介质层进行离子掺杂，以在所述层间介质层的表面形成掺杂层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||