| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有高K栅极介电层；对所述高K栅极介电层和所述半导体衬底表层进行氮化处理，以在所述高K栅极介电层和所述半导体衬底表层中掺杂氮离子；对所述半导体衬底进行氧化处理，以在所述半导体衬底和所述高K栅极介电层之间形成含氮的氧化物界面层。本发明所述方法形成的所述含氮的氧化物界面层的厚度远远小于通过沉积方法或者其他方法形成的厚度，可以有效地降低所述EOT的厚度，同时还可以进一步提高所述高K栅极介电层变成的K栅极值，减小由于膜非常薄而带来的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN104681440A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201310627708.5 | 申请日期 | 2013.11.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 禹国宾 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有高K栅极介电层；对所述高K栅极介电层和所述半导体衬底进行氮化处理，以在所述高K栅极介电层和所述半导体衬底表面掺杂氮离子；对所述半导体衬底进行氧化处理，以在所述半导体衬底和所述高K栅极介电层之间形成含氮的氧化物界面层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||