半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

在使用包括氧化物半导体的电晶体的半导体装置中，抑制电特性变动并提高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：绝缘表面上的闸极电极；与闸极电极重叠的氧化物半导体膜；在闸极电极与氧化物半导体膜之间且与氧化物半导体膜表面接触的闸极绝缘膜；接触于与氧化物半导体膜表面相反的面的保护膜；以及接触于氧化物半导体膜的一对电极，其中，在闸极绝缘膜或者保护膜中，藉由加热处理释放的质荷比m/z=17的气体的释放量多于藉由加热处理释放的氮氧化物的释放量。