SELF-ALIGNED METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELLS WITH SINGLE POLY LAYER

摘要

반도체 메모리 셀을 형성하는 방법은 동일한 폴리 층으로부터 플로팅 게이트 및 제어 게이트를 형성하는 것을 포함한다. 절연, 도전성, 및 제2 절연 물질의 층들이 기판 위에 형성된다. 도전성 층에 이르기까지 연장되고 이를 노출시키는 트렌치가 제2 절연 물질에 형성된다. 도전성 층의 일부를 노출시키는 트렌치의 하부에서 작고 한정된 갭에 의해 분리되는 스페이서들이 트렌치에 형성된다. 이어서, 갭을 통해 이방성 에칭을 수행함으로써 도전성 층의 노출된 부분을 통과해서 트렌치가 형성된다. 제3 절연 물질로 트렌치를 채운다. 도전성 층의 선택된 부분이 제거되어, 제3 절연 물질에 의해 분리되는 그의 두 개의 블록들을 남겨두게 된다.