发明名称 |
半导体结构及其形成方法 |
摘要 |
本公开涉及半导体结构及其形成方法。半导体结构可包含半导体鳍、半导体鳍之上的栅极、栅极的侧壁上的间隔件、间隔件之下的半导体鳍的端部中的带角度的凹陷区域、以及填充带角度的凹陷的第一半导体区域。带角度的凹陷可以是v形的或Σ形的。该结构还可包含接触第一半导体区域和衬底的第二半导体区域。可通过在衬底上的半导体鳍的一部分之上形成栅极、在栅极的侧壁上形成间隔件、去除半导体鳍的不被间隔件和栅极覆盖的部分以露出鳍的侧壁、蚀刻鳍的侧壁以在间隔件之下形成带角度的凹陷区域、以及用第一外延半导体区域填充带角度的凹陷区域,来形成所述结构。 |
申请公布号 |
CN104658912A |
申请公布日期 |
2015.05.27 |
申请号 |
CN201410655550.7 |
申请日期 |
2014.11.18 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
程慷果;E·C·哈利;柯玥;A·克哈基弗尔鲁茨;A·雷茨尼采克 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
罗银燕 |
主权项 |
一种形成半导体结构的方法,所述方法包括:在衬底上的半导体鳍的一部分之上形成栅极;在栅极的侧壁上形成间隔件;去除半导体鳍的不被间隔件和栅极覆盖的部分,以露出鳍的侧壁;蚀刻鳍的侧壁,以在间隔件之下形成带角度的凹陷区域;以及在衬底上生长外延的第一半导体区域,所述外延的第一半导体区域填充带角度的凹陷区域并且接触鳍。 |
地址 |
美国纽约 |