高压LDMOS自触发静电保护结构

摘要

本发明公开了一种高压LDMOS自触发静电保护结构，包括：一N型LDMOS，整体置于一硅衬底上方的N型埋层内，排列成多指状阵列结构；一二极管串，有二极管顺序串联组成，其阴极与N型LDMOS的漏极相连到静电进入端，其阳极与第一二极管的阳极相连，第一二极管的阴极与N型LDMOS的栅极相连；第二二极管，其阴极与N型LDMOS的栅极相连，其阳极与N型LDMOS的源极相连接地；第一电阻连接于N型LDMOS的栅极和源极之间；所述高压N型LDMOS的栅极与内部电路信号输出端相连。本发明既可以有效地提高LDMOS的静电保护能力，又能保证LDMOS的低导通电阻特性不受明显影响，可运用于BCD工艺电源管理类产品以及需要较大开关电流的应用上。

主权项

一种高压LDMOS自触发静电保护结构，其特征是，包括：一N型LDMOS，整体置于一硅衬底上方的N型埋层内，排列成多指状阵列结构；一二极管串，由二极管顺序串联组成，其阴极与N型LDMOS的漏极相连到静电进入端，其阳极与第一二极管的阳极相连，第一二极管的阴极与N型LDMOS的栅极相连；第二二极管，其阴极与N型LDMOS的栅极相连，其阳极与N型LDMOS的源极相连接地；第一电阻连接于N型LDMOS的栅极和源极之间；所述高压N型LDMOS的栅极与内部电路信号输出端相连。