| 发明名称 | 通孔的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种通孔的形成方法，包括：在半导体衬底表面从下到上依次形成层间介质层、介质抗反射层、底部抗反射层和图案化的光刻胶层；以所述图案化的光刻胶层为掩模，采用第一等离子体刻蚀工艺蚀刻所述底部抗反射层，直至形成具有第一开口的底部抗反射层，所述第一开口的实际尺寸大于所述第一开口的预设尺寸；以所述具有第一开口的底部抗反射层为掩模，采用第二等离子体刻蚀工艺蚀刻所述介质抗反射层，直至形成具有第二开口的介质抗反射层，所述第二开口的实际尺寸等于所述第二开口的预设尺寸；以所述具有第二开口的介质抗反射层为掩模，蚀刻所述层间介质层直至形成通孔。所述形成方法能够形成关键尺寸与预设值相符的通孔，提高半导体器件的生产良率。 | ||
| 申请公布号 | CN104658964A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201310589696.1 | 申请日期 | 2013.11.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 韩秋华;黄敬勇 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种通孔的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面从下到上依次形成层间介质层、介质抗反射层、底部抗反射层和图案化的光刻胶层；以所述图案化的光刻胶层为掩模，采用第一等离子体刻蚀工艺蚀刻所述底部抗反射层，直至形成具有第一开口的底部抗反射层，所述第一开口的实际尺寸大于所述第一开口的预设尺寸；以所述具有第一开口的底部抗反射层为掩模，采用第二等离子体刻蚀工艺蚀刻所述介质抗反射层，直至形成具有第二开口的介质抗反射层，所述第二开口的实际尺寸等于所述第二开口的预设尺寸；以所述具有第二开口的介质抗反射层为掩模，蚀刻所述层间介质层直至形成通孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||