| 发明名称 | 使用高电场制造纳米孔 | ||
| 摘要 | 提供一种用于在膜中制造纳米孔的方法。该方法包括：施加穿过膜的电势，其中所述电势的值被选择以感生引起穿过所述膜的泄漏电流的电场；在所述电势被施加时，监测穿过所述膜的电流流动；检测穿过所述膜的所述泄漏电流中的突然增加；以及响应于检测到所述泄漏电流中的突然增加来移除穿过所述膜的电势。 | ||
| 申请公布号 | CN104662209A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201380036177.0 | 申请日期 | 2013.05.07 |
| 申请人 | 渥太华大学 | 发明人 | W·H·郭;V·塔巴德-科萨;K·A·Z·布里格斯 |
| 分类号 | C25F3/14(2006.01)I;B23B41/14(2006.01)I;B23H9/14(2006.01)I;B23K9/013(2006.01)I;B82Y30/00(2006.01)I;C25F7/00(2006.01)I | 主分类号 | C25F3/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 杨勇;郑建晖 |
| 主权项 | 一种用于在膜中制造单个纳米孔的方法，包括：选择在膜中感生出电场的电势，其中所述电场具有的值大于0.1伏每纳米；施加所述电势穿过由电介质材料组成的膜；在所述电势被施加穿过所述膜时，监测穿过所述膜的泄漏电流；在所述电势被施加穿过所述膜时，检测穿过所述膜的泄漏电流中的突然增加；以及响应于检测到所述泄漏电流中的突然增加，移除穿过所述膜的所述电势来停止孔制造。 | ||
| 地址 | 加拿大安大略省渥太华 | ||