带有隔离氧化层的侧向双极晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开一种带有隔离氧化层的侧向双极晶体管及其制备方法，为解决现有器件中收集区面积过大的缺陷而设计。本发明带有隔离氧化层的侧向双极晶体管包括发射区、本征基区、收集区、发射区介质层、外基区、基区介质层以及衬底复合介质层。衬底复合介质层包括氧化硅层和氮化硅层。本征基区位于衬底复合介质层的上方，收集区位于衬底复合介质层的上方。本征基区的材料为硅、锗硅或锗硅碳。本发明带有隔离氧化层的侧向双极晶体管及其制备方法有效地减小了收集区的面积，降低了器件的收集区寄生电容，有助于减少辐照对于器件的影响。工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模的产线生产。

主权项

一种带有隔离氧化层的侧向双极晶体管，其特征在于，所述晶体管包括第一导电类型的发射区，位于所述发射区侧面的本征基区，位于所述本征基区侧面的收集区，位于所述发射区上方的发射区介质层，位于所述发射区介质层上方的外基区，位于外基区上方的基区介质层，以及位于衬底上方的衬底复合介质层；所述衬底复合介质层包括位于衬底上的氧化硅层和位于所述氧化硅层上的氮化硅层；所述本征基区位于衬底复合介质层的上方；所述收集区位于衬底复合介质层的上方。