发明名称 High Temperature ALD Inlet Manifold
摘要 <p>원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 반응로에 하나 이상을 가스를 분배하기 위한 시스템 및 방법이다. 샤워헤드 조립체 상으로 탑재되는 통합된 인렛 매니폴드 블록(integrated manifold block)은 이에 직접 탑재되는 (200 ℃ 까지의) 고온 율속되는 밸브들, 및 짧으면서 용이하게 퍼징되는 반응종 라인들을 포함한다. 무결함의 통로들 및 금속 밀봉으로 인하여, O-링들 및 유동 경로들을 따라 수반되는 데드 존들이 회피된다. 본 매니폴드는 상기 블록 인렛 매니폴드 내에, 반응종 라인들을 퍼징하기 위한 내부 비활성 가스 채널을 포함한다.</p>
申请公布号 KR101522725(B1) 申请公布日期 2015.05.26
申请号 KR20147014131 申请日期 2007.01.17
申请人 发明人
分类号 C23C16/455;H01L21/205 主分类号 C23C16/455
代理机构 代理人
主权项
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