发明名称 積層メモリアーキテクチャのためのビルトインセルフテスト
摘要 <p>積層メモリアーキテクチャのためのビルトインセルフテスト。メモリデバイスの実施形態は、1または複数のDRAM(ダイナミックランダムアクセスメモリ)要素を有するメモリ積層体およびメモリ積層体の制御のためのシステム要素を含む。システム要素は、メモリ積層体のライトテストイベントまたはリードテストイベントを生成するビルトインセルフテストエンジン(BISTエンジン)、BISTエンジンからのライトテストイベントまたはリードテストイベントのテストデータを受信するテストインターフェース、およびテストインターフェースからのテストデータの少なくとも一部を受信し、メモリ積層体のDRAM素子でのライトテストイベントまたはリードテストイベントを実行するメモリコントローラを含む。</p>
申请公布号 JP2015515061(A) 申请公布日期 2015.05.21
申请号 JP20150503171 申请日期 2012.03.30
申请人 发明人
分类号 G06F12/16;G11C5/00;G11C29/12 主分类号 G06F12/16
代理机构 代理人
主权项
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