| 发明名称 |
化合物半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
TWI485836 |
申请公布日期 |
2015.05.21 |
| 申请号 |
TW099116630 |
申请日期 |
2010.05.25 |
| 申请人 |
立积电子股份有限公司 |
发明人 |
彭国瑞;赵传珍;刘慈祥 |
| 分类号 |
H01L25/04;H01L21/768;H01L21/027 |
主分类号 |
H01L25/04 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种化合物半导体装置，包括：一砷化镓基板，具有一第一突出部与一第二突出部，其中该第一突出部位于该砷化镓基板之一第一部之上，而该第二突出部位于该砷化镓基板之一第二部之上；一第一元件，设置于该第一突出部之上；以及一第二元件，设置于该第二突出部之上，其中该第一元件与该第二元件之间具有介于2~30微米之一间距。
|
| 地址 |
台北市内湖区堤顶大道2段407巷20弄1号3楼 |
