| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, insbesondere fuer Starkstromzwecke, mit mehreren verhaeltnismaessig grossflaechigen Schichten unterschiedlichen Leitfaehigkeitstyps |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE1113520(B) |
申请公布日期 |
1961.09.07 |
| 申请号 |
DE1958S060101 |
申请日期 |
1958.09.30 |
| 申请人 |
SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
HERLET DR. RER. NAT. ADOLF |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/18;H01L21/24;H01L29/00;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/40 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
