薄膜トランジスタのアレイ基板及びその製造方法、並びに電子デバイス

摘要

薄膜トランジスタのアレイ基板及びその製造方法、並びに電子デバイスである。該薄膜トランジスタのアレイ基板の製造方法は、透明基板（２１）に、第１の透明導電層で形成された画素電極（２２）のパターンと、第１の金属層で形成された互いに分離しているドレイン電極、ソース電極及びデータライン（２３）のパターンとを形成する第１のパターニング工程と、前記第１のパターニング工程をした透明基板（２１）に、ゲート絶縁層（２５）のパターンと、透明酸化物層で形成された活性層（２４）のパターンとを形成する第２のパターニング工程と、前記第２のパターニング工程をした透明基板（２１）に、第２の透明導電層で形成された共通電極（２６）のパターンと、第２の金属層で形成されたゲート電極及びゲートライン（２７）のパターンとを形成する第３のパターニング工程と、を備える。