| 发明名称 | 晶片堆叠结构以及晶片堆叠结构的制作方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI485826 | 申请公布日期 | 2015.05.21 |
| 申请号 | TW101118718 | 申请日期 | 2012.05.25 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 吴昇财;刘汉诚;简恒杰;谭瑞敏;戴明吉;赵玉麟 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L23/52 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种晶片堆叠结构，包括：一承载器，具有彼此对向的一第一表面与一第二表面，该承载器具有至少一贯通孔；一第一重布线层，设置于该承载器的该第一表面；一第二重布线层，设置于该承载器的一第二表面；至少一第一晶片，设置于该承载器的该第一表面且电性连接该第一重布线层；至少一第二晶片，设置于该承载器的该第二表面且电性连接该第二重布线层；至少一导电物，设置于该第一晶片与该第二晶片的其中之一，该导电物位于该贯通孔中，且藉由该导电物而电性连接该第一晶片与该第二晶片，其中，该导电物与包围该贯通孔的该承载器的内壁之间相距一间隙。 | ||
| 地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 | ||