| 摘要 |
本発明は、ＥＵＶ波長範囲用ミラー(1)に関するものであり、０?〜２５?の少なくとも１つの入射角について４０％以上の反射率を有し、基板及び層配列を具え、この層配列は少なくとも１つの非金属個別層(B,H,M)を含み、非金属個別層(B,H,M)は、１０ppb〜１０％、特に１００ppb〜０．１％の不純物原子でドーピングされ、これにより、この非金属個別層(B,H,M)について、６?１０10cm-3以上の電荷キャリア密度及び／または１?１０-3S/m以上の導電率、特に６?１０13cm-3以上の電荷キャリア密度及び／または１S/m以上の導電率が得られる。 |
