| 发明名称 | 一种大面积制作纳米图形的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种大面积制作纳米图形的方法包括以下步骤：取一模板;制作掩膜层：在模板上生长一层保护的掩膜层，掩膜层包括SiO2或SiNx;制作纳米图形层：利用电子束蒸发或离子束蒸发，在设有一层掩膜层的模板上镀上一层Ag、Ni或ITO纳米图形层;制作纳米掩膜层：利用纳米图形层保护对掩膜层进行湿法腐蚀或干法刻蚀，在掩膜层上制得纳米掩膜图形;制作纳米图形：利用纳米图形层和纳米掩膜层保护对模板进行干法或湿法刻蚀，在模板上制作纳米图形;清洗：除去多余的纳米图形层和纳米掩膜层，得到表面具有纳米图形结构和纳米结构图层的模板。采用本发明的方法，可以实现大面积、低成本和工业化的纳米图形制作。 | ||
| 申请公布号 | CN104637790A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201510114412.2 | 申请日期 | 2015.03.17 |
| 申请人 | 山东元旭光电有限公司 | 发明人 | 许南发;郭明灿;周雅慧;郭文平 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种大面积制作纳米图形的方法，其特征在于，包括以下步骤： S10：取一模板;S20：制作掩膜层：在模板上生长一层保护的掩膜层，掩膜层包括SiO2或SiNx;S30：制作纳米图形层：利用电子束蒸发或离子束蒸发，在设有一层掩膜层的模板上镀上一层Ag、Ni或ITO纳米图形层;S40：制作纳米掩膜层：利用纳米图形层保护对掩膜层进行湿法腐蚀或干法刻蚀，在掩膜层上制得纳米掩膜图形;S50：制作纳米图形：利用纳米图形层和纳米掩膜层保护对模板进行干法或湿法刻蚀，在模板上制作纳米图形;S60：清洗：除去多余的纳米图形层和纳米掩膜层，得到表面具有纳米图形结构和纳米结构图层的模板。 | ||
| 地址 | 261031 山东省潍坊市高新区玉清街以北银枫路以西光电园第三加速器西区 | ||