| 发明名称 | 微机械传感器设备以及相应的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种微机械传感器设备以及相应的制造方法。所述微机械传感器设备包括：具有前侧(VS)和背侧(RS)的CMOS晶片(1)、在所述CMOS晶片(1)的前侧(VS)上构造的具有多个堆叠的印制导线层面(LB0、LB1、LB2)和绝缘层(I)的再布线装置(1a)、具有前侧(V10)和背侧(R10)的MEMS晶片(10)、在所述MEMS晶片(1)的前侧(VS)上构造的微机械传感器装置(MS)、在所述MEMS晶片(10)与所述CMOS晶片(1)之间的键合连接(B)、在所述MEMS晶片(10)与所述CMOS晶片(1)之间的腔(KV)以及施加在多个堆叠的印制导线层面(LB0、LB1、LB2)和绝缘层(I)中的至少一个上的暴露的吸气剂层区域(G1；G1’)，所述传感器装置(MS)密封地包围在所述腔中。 | ||
| 申请公布号 | CN104627948A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201410637249.3 | 申请日期 | 2014.11.05 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | J·赖因穆特;J·贡斯卡 |
| 分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 郭毅 |
| 主权项 | 一种微机械传感器设备，所述微机械传感器设备具有：具有前侧(VS)和背侧(RS)的CMOS晶片(1)；在所述CMOS晶片(1)的前侧(VS)上构造的具有多个堆叠的印制导线层面(LB0、LB1、LB2)和绝缘层(I)的再布线装置(1a)；具有前侧(V10)和背侧(R10)的MEMS晶片(10)；在所述MEMS晶片(1)的前侧(VS)上构造的微机械传感器装置(MS)；在所述MEMS晶片(10)与所述CMOS晶片(1)之间的键合连接(B)；在所述MEMS晶片(10)与所述CMOS晶片(1)之间的腔(KV)，所述传感器装置(MS)密封地包围在所述腔中；以及施加在多个堆叠的印制导线层面(LB0、LB1、LB2)和绝缘层(I)中的至少一个上的暴露的吸气剂层区域(G1；G1’)。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||