| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有虚拟栅极结构，所述虚拟栅极结构包括牺牲栅电极层，且在所述虚拟栅极结构的两侧形成有紧靠所述虚拟栅极结构的间隙壁结构；去除所述牺牲栅电极层，以在所述间隙壁结构的中间形成一栅沟槽，且在所述栅沟槽中依次形成第一功函数金属层和第二功函数金属层；执行一退火处理，以在所述栅沟槽中形成一合金层；实施金属栅的回填。根据本发明，在选用钛铝合金作为用于NMOS的高k金属栅结构中的功函数金属层的材料时，可以满足NMOS对于功函数的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN102956455B | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201110239276.1 | 申请日期 | 2011.08.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 平延磊;鲍宇 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有虚拟栅极结构，所述虚拟栅极结构包括牺牲栅电极层，且在所述虚拟栅极结构的两侧形成有紧靠所述虚拟栅极结构的间隙壁结构；去除所述牺牲栅电极层，以在所述间隙壁结构的中间形成一栅沟槽，且在所述栅沟槽中依次形成第一功函数金属层和第二功函数金属层，所述第一功函数金属层的材料为钛，所述第二功函数金属层的材料为钛铝合金；执行一退火处理，以在所述栅沟槽中形成一合金层，所述合金层的构成为Ti<sub>x</sub>Al，x>1；实施金属栅的回填。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||